项目名称:高马赫数飞行用CVDZnS红外窗口的制备技术
完成单位:北京中材人工晶体研究院有限公司
主要科技内容与创新点:
国外通常采用H2S模式的CVD制备技术,其设备复杂而且昂贵,且使用有毒易燃H2S气体,环保性差。我院通过多年的自主研究,采用以高纯硫为原料的S模式化学气相沉积(CVD)法成功的制备出大尺寸的CVDZnS板材和头罩。与国外技术相比较,S模式的CVD制备技术具有制备成本低,污染小等特点。
创新点:
1.自行设计设计CVDZnS沉积设备,具有完全的自主知识产权,在国内率先采用单质S固相化学气相沉积法制备ZnS。
2.S模式的CVD方法,采用高纯硫生长CVDZnS,S模式的CVD方法避免了在制备过程中直接使用剧毒H2S气体。
3.通过S模式生长出来的CVDZnS,在红外波段无吸收峰,透过率接近理论指标,光学性能优异,可作为红外中长波透过材料。
4.率先采用S模式化学气相沉积法制备出抗高马赫数飞行用CVDZnS材料,使用温度由国外同类产品的不到200℃提升至400℃以上,大大提高所用导弹的飞行速度。
联系人:010-65492620/21/22/23 -8000